Silisyum karbür üretmenin en basit yöntemi, kuvars kumu ve kömür gibi karbonun 2500 santigrat dereceye kadar yüksek sıcaklıklarda - eritilmesini içerir. Silisyum karbürün daha koyu, daha yaygın versiyonları genellikle demir ve karbon safsızlıklarını içerir, ancak saf SiC kristalleri renksizdir ve silisyum karbür 2.700 santigrat derecede süblimleştiğinde oluşur. Isıtıldıktan sonra bu kristaller, Lely yöntemi olarak bilinen bir işlemle daha düşük bir sıcaklıkta grafit üzerine biriktirilir.
Lely yöntemi: Bu işlemde, silisyum karbür tozunu süblimleştirmek için bir granit potası genellikle indüksiyonla çok yüksek bir sıcaklığa ısıtılır. Düşük sıcaklıktaki grafit çubuk, saf silisyum karbürün çökelmesine ve kristaller oluşturmasına olanak tanıyan gazlı bir karışım içerisindedir.
Kimyasal buhar biriktirme: Alternatif olarak üreticiler, karbon bazlı sentez süreçlerinde yaygın olarak kullanılan ve yarı iletken endüstrisinde kullanılan kimyasal buhar biriktirme yöntemini kullanarak kübik SiC'yi büyütüyorlar. Bu yöntemde, gazların özel bir kimyasal karışımı vakumlu bir ortama verilir ve bir alt katmana yerleştirilmeden önce birleştirilir.
Silisyum karbür levha üretmenin her iki yöntemi de başarıya ulaşmak için çok büyük miktarda enerji, ekipman ve bilgi gerektirir.